F8BT薄膜表面形貌及与Al形成界面的电子结构和反应

• 作者: 冯雪飞 朱俊发 杨耀文 潘宵 王嘉兴 范其瑭 鞠焕鑫
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: F8BT 表面形貌 同步辐射光电子能谱 近边X射线吸收精细结构谱
• 年，卷（期）: 2015,（07）
• 所属期刊栏目: 专题：表面低维结构的电子态调控
• 页码范围: 077304-1-077304-10
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.077304

摘要

基于共轭聚合物光电器件的性能与聚合物的表面形貌、分子取向、以及与金属电极形成的界面结构密切相关。本文利用原子力显微镜(AFM)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等,研究了聚(9,9-二辛基芴并苯噻二唑)(F8BT)薄膜的表面形貌、分子取向及其与Al 电极形成界面过程的结构变化。结果表明,在略低于F8BT玻璃转变温度(Tg =130?C)条件下对F8BT薄膜进行退火,可明显增加薄膜的表面粗糙度,薄膜中F8BT的分子取向角约为49?,9,9-二辛基芴单元(F8)与苯噻唑单元(BT)几乎在同一平面。在Al/F8BT界面形成过程中, Al与F8BT中的C, N和S均发生不同程度的化学反应,并导致价带结构和未占据分子轨道(LUMO)态密度的变化。 Al对F8BT进行n型掺杂引起F8BT能带弯曲的同时,未占据能级被部分占据,更多的电子将被注入到LUMO+1中。通过考察价带电子结构、芯能级位移及二次截止边的变化,绘制了清晰的Al/F8BT界面能级图。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊发	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	9	2.0	2.0
2	范其瑭	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	2	2	1.0	1.0
3	鞠焕鑫	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	2	2	1.0	1.0
4	潘宵	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	1	2	1.0	1.0
5	冯雪飞	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	2	2	1.0	1.0