金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究

• 作者: 张理勇 彭向阳 方粮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二硫化钼 金衬底 电子性能 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 343-350
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.187101

摘要

基于密度泛函的第 性原理研究了金衬底对单层二硫化钼电子性能的调控作用.从结合能、能带结构、电子态密度和差分电荷密度四个方面进行了深入研究. 结合能计算确定了硫原子层在界面的排布方式, 并指出这种吸附结构并不稳定. 能带结构分析证实了金衬底与单层二硫化钼形成肖特基接触, 并出现钉扎效应. 电子态密度分析表明金衬底并没有影响硫原子和钼原子之间的共价键,而是通过调控单层二硫化钼的电子态密度增加其导电率. 差分电荷密度分析表明单层二硫化钼的导电通道可能在界面处产生. 研究结果可对单层二硫化钼晶体管的建模和实验制备提供指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭向阳	湘潭大学物理与光电工程学院	19	12	2.0	3.0
2	方粮	国防科学技术大学高性能计算国家重点实验室	15	32	3.0	5.0
6	张理勇	国防科学技术大学高性能计算国家重点实验室	2	8	2.0	2.0