SiO2固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 肖惠 郭文昊 门传玲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化铟锌薄膜晶体管 SiO2固体电解质 双电层 质子特性
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 077302-1-077302-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.077302

摘要

本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在室温条件下制备了具有双电层效应的二氧化硅(SiO2)固体电解质薄膜，并以此SiO2薄膜作为栅介质制备了氧化铟锌(IZO)双电层薄膜晶体管。本文系统地研究了SiO2固体电解质中的质子特性对双电层薄膜晶体管性能的影响，研究结果表明，经过纯水浸泡的SiO2固体电解质薄膜可以诱导出较多的可迁移质子，因此表现出较大的双电层电容。由于SiO2固体电解质薄膜具有质子迁移特性，晶体管的转移特性曲线呈现出逆时针方向的洄滞现象，并且这一洄滞效应随着栅极电压扫描速率的增加而增大。进一步对薄膜晶体管的偏压稳定性进行测试，发现晶体管的阈值电压的变化遵循了拉升指数函数(stretched exponential function)关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	门传玲	上海理工大学能源与动力工程学院	19	35	3.0	5.0
2	郭文昊	上海理工大学能源与动力工程学院	1	1	1.0	1.0
6	肖惠	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	1	1	1.0	1.0