表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究

• 作者: 王富强 瞿宜斌 马行空
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 静电感应晶体管 沟道势垒 鞍电势
• 年，卷（期）: 2015,（16）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 106-108
• 页数: 3页
• 字数: 2459字
• 语种: 中文

摘要

为了研究静电感应晶体管(SIT)势垒形成机理,本文利用Silvaco Tcad软件模拟,仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系.通过改变反偏栅压和漏偏压,得出了器件沟道在完全夹断状态下,沟道势垒成马鞍型分布.反偏栅压影响着器件导通和关断状态,漏偏压影响着势垒的高低,且二者相互依赖,共同影响着沟道势垒的形成.