B，P掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质研究?

• 作者: 张文栋 李刚 李朋伟 桑胜波 程超群 胡杰 邓霄
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: β相氮化硅 掺杂 第一性原理 光电性质
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 311-318
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.067102

摘要

运用第一性原理方法,计算了B, P两种元素单掺杂和共掺杂的β-Si3 N4材料的电子结构和光学性质。结果表明： B掺杂体系的稳定性更高,而P掺杂体系的离子性更强；单掺和共掺杂均窄化带隙,且共掺在禁带中引入深能级,使局域态增强；单掺杂体系介电函数虚部、吸收谱和能量损失谱各峰均发生红移、幅值减小,而共掺后介电函数虚部主峰出现蓝移、能量损失峰展宽、高能区电子跃迁大大增强,且控制共掺杂的B, P比例可获得较低的带电缺陷浓度。