As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响?

• 作者: 周晓静 徐波 杨新荣 王占国 王海飞 谷云高 赵尚武 郝美兰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAlAs超晶格 InAs纳米结构形貌 As压调制
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 068101-1-068101-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.068101

摘要

利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料，探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响。结果表明， As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成，导致高密度均匀分布的量子点的生长。结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理。分析认为， InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	周晓静	邯郸学院物理与电气工程系	10	18	2.0	4.0
3	王海飞	邯郸学院物理与电气工程系	10	12	2.0	2.0
4	杨新荣	邯郸学院物理与电气工程系	6	6	2.0	2.0
5	赵尚武	中国科学院电工研究所	5	5	2.0	2.0
6	郝美兰	邯郸学院物理与电气工程系	1	2	1.0	1.0
7	谷云高	邯郸学院物理与电气工程系	9	29	2.0	5.0