包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响?

• 作者: 侯建华 刘如胜 孙龙 梁庆成 田春光 秦杰明 蒋大勇 裴佳楠 赵建勋 郭泽萱 高尚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO薄膜 紫外光电探测器 表面等离子体 Pt纳米粒子
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067802-1-067802-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.067802

摘要

利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W?1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.