NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应?

• 作者: 张万里 张文旭 彭斌 韩方彬
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 铁磁共振 自旋整流效应 自旋抽运 逆自旋霍尔效应
• 年，卷（期）: 2015,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 247202-0-247202-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.247202

摘要

NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时， NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中，由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE ，此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE 上，实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加。为了区分这两种不同机理对电压的贡献，本文采取旋转外加静磁场的方法，通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE 的大小。研究结果表明，相比于单层NiFe(20 nm)薄膜样品， NiFe(20 nm)/Pt(10 nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt 中导致铁磁共振线宽增加。与逆自旋霍尔效应产生的电压相比，自旋整流效应的贡献较小，但不可忽略。本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应，并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
3	张文旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	302	9.0	16.0
4	韩方彬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0