SiC电力电子器件的发展及其应用概述

• 作者: 黄帅
• 来源期刊: 电子测试
• 学科: 工学
• 关键词: SiC JFET BJT MOSFET 电力电子器件
• 年，卷（期）: 2015,（16）
• 所属期刊栏目: 科技论坛
• 页码范围: 127-129
• 页数: 3页
• 分类号: TM3
• 字数: 2266字
• 语种: 中文

摘要

宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点，其中以SiC材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损耗的角度对四种SiC电力电子器件——JBS（结型势垒肖特基二极管）、JFET（结型场效应晶体管）、BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的发展及其应用作了概述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄帅	贵州铜仁学院物理与电子工程学院	1	3	1.0	1.0