GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究?

• 作者: 孙捷 孙晓 徐儒 樊星 白俊雪 郭伟玲 雷珺 韩禹
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN基发光二极管 高压 理想因子 串联单元
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 017303-1-017303-5
• 页数: 1页
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.017303

摘要

理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象。针对目前报道的GaN基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V 曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12 V,19 V,51 V和80 V GaN基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系。另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析。结果表明：高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的。这对GaN基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值。