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摘要:
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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 硅基锗薄膜选区外延生长研究?
来源期刊 物理学报 学科
关键词 超高真空化学气相沉积 选区外延
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 128102-1-128102-5
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.64.128102
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈松岩 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心 68 248 8.0 12.0
2 李成 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心 45 140 7.0 11.0
3 汪建元 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心 3 6 1.0 2.0
4 王尘 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心 3 8 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
超高真空化学气相沉积
选区外延
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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