IGBT技术现状及发展趋势

• 作者: 余晋杉 杨虎刚 赵承贤 邓涛 郑金灿
• 来源期刊: 技术与市场
• 关键词: IGBT MOSFET 穿通性 非穿通型 平面栅 沟槽栅 电场截止型FS
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 创新与实践
• 页码范围: 28-29,31
• 页数: 3页
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8554.2015.04.011

摘要

介绍了IGBT的发展历史，重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能，并展望未来IGBT的发展趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵承贤		3	8	1.0	2.0
2	邓涛		2	8	1.0	2.0
3	郑金灿		2	8	1.0	2.0
4	杨虎刚		3	8	1.0	2.0
5	余晋杉		1	8	1.0	1.0