用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜

• 作者: 刘亚东 唐健 孙殿竣 张卫平 汪濙海 邢亚亮
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 各向同性刻蚀 掩膜 氮化硅 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 495-498
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.009

摘要

在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料.在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比.而不同配比对于氮化硅掩膜的刻蚀速率也不一样.分别用PECVD和LPCVD两种方法在<111>型硅片上沉积了厚度为560和210 nm的氮化硅薄膜,研究和对比了它们在8种典型配比刻蚀液下的刻蚀速率,为合理制作所需要厚度的氮化硅掩膜提供有益参考.