高次谐波体声波谐振器的有效机电耦合系数

• 作者: 刘梦伟 李鉴 汪承灏
• 来源期刊: 声学学报
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 1-12
• 页数: 12页
• 语种: 中文

摘要

高次谐波体声波谐振器HBAR(High-overtone Bulk Acoustic Resonator)由基底、压电薄膜和上下电极组成,系统地研究了它们的结构参数(厚度)和性能参数(特性阻抗)对HBAR的重要性能参数有效机电耦合系数K2eff的影响.在谐振频率附近,通过将HBAR的分布参数等效电路简化为集总参数等效电路得到了它们之间的关系表达式,分析了K2eff在所关心频率最近谐振点的变化情况.结果表明,保持压电薄膜厚度不变,连续增加基底厚度,K2eff呈振荡(非单调)下降,当基底厚度达到一定值时K2eff与厚度成反比下降;保持基底厚度不变,连续增加压电薄膜厚度,K2eff的峰值随基底和压电层的特性阻抗之比增加快速下降,到达极小值后缓慢增加;选择低阻抗的熔融石英作为基底可以获得较大的K2eff;与Al电极相比,Au电极选择适当厚度可以获得较高的K2eff.上述揭示的一些规律为HBAR的优化设计提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪承灏	中国科学院声学研究所	44	387	10.0	19.0
2	刘梦伟	中国科学院声学研究所	15	10	2.0	2.0
3	李鉴	中国科学院声学研究所	6	2	1.0	1.0