Zintl相化合物Sr3Ga2M4(M=P,As)的电子结构和成键特征

• 作者: 张玉峰 王磊
• 来源期刊: 河南大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 带隙 电子局域函数 窄带隙半导体
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 现代物理与材料科学
• 页码范围: 243-246
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1659字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr3Ga2M4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr3Ga2P4和Sr3Ga2As4的带隙分别为0.99 eV和0.74 eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	安阳工学院数理学院	14	53	4.0	7.0
2	张玉峰	安阳师范学院物理与电气工程学院	12	38	3.0	6.0