压强对MgSiP2电子结构和热电性能影响的第一性原理研究

• 作者: 刘运牙 戴姗 杨振华
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: MgSiP2 电子结构 热电性能 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理和材料科学
• 页码范围: 020801-1-020801-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN377
• 字数: 2876字
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理,计算了 MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和n型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和n型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了 MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,p型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致p型 MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了p型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨振华	湘潭大学材料设计及制备技术湖南省重点实验室	14	19	2.0	4.0
2	戴姗	湘潭大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	刘运牙		1	0	0.0	0.0