温度对3种IGBT结构通态特性的影响

• 作者: 冯松 高勇
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 通态特性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 1771字
• 语种: 中文

摘要

从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200V穿通型-IGBT (PT-IGBT),非穿通型-IGBT (NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析了温度对3种IGBT结构通态特性的影响,得出了PT-IGBT的通态压降具有负温度系数,NPT-IGBT和FS-IGBT的通态压降在不同电流下的两种温度系数及温度对FS-IGBT的通态压降影响最小等结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	冯松	西安工程大学理学院	13	8	2.0	2.0