厚膜HIC镀金引线柱直接采用锡基焊料研究

• 作者: 刘俊夫 郑静
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜混合集成电路 镀金引线柱 锡基焊料 金脆 搪锡 钎焊
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 84-90
• 页数: 7页
• 分类号: TN452
• 字数: 5492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.07.020

摘要

电装行业中对镀金界面采用锡基焊料软钎焊之前进行搪锡去金的标准一直存在争议。采用SEM、体视显微镜等设备对厚膜混合集成电路（HIC）组装过程中镀金引线柱采用锡基焊料钎焊（不进行搪锡去金处理）工艺进行了研究。结果发现，典型金层厚度（1.3~2.5μm）引线柱钎焊后能够通过环境试验应力考核和高温-长期储存试验；内引线柱局部镀薄金（0.5~1μm）的样品在高温-长期储存试验过程中抑制Ni-Au-Sn化合物生长的效果更加明显，可以作为一种高可靠HIC镀金引线柱不去金焊接的优选封装结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑静		13	6	1.0	2.0
2	刘俊夫		7	2	1.0	1.0