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摘要:
通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905 nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器.采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905 nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器.腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4 nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍.
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文献信息
篇名 905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器
来源期刊 光电子·激光 学科 工学
关键词 半导体激光器 隧道结 非耦合
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 光电子器件和系统
研究方向 页码范围 139-144
页数 6页 分类号 TN248.4
字数 语种 中文
DOI 10.16136/j.joel.2016.02.0663
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓军 57 219 7.0 10.0
2 韩军 39 181 7.0 11.0
3 李建军 52 234 7.0 12.0
4 司东海 1 0 0.0 0.0
5 付莹莹 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
隧道结
非耦合
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子·激光
月刊
1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
出版文献量(篇)
7085
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11
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