反应溅射法制备钒氧化物薄膜及电学性质的测量

• 作者: 孙腊珍 安子烨 张增明 祝巍 高伟哲
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化钒 射频溅射 相变
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 学生园地
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2076字
• 语种: 中文

摘要

采用射频溅射法，通过控制通入真空腔中Ar和O2的比例来获得VOx 薄膜。由于V的氧化物众多，不同的氧分压会显著影响薄膜的组分。实验结果表明：尽管在 X射线衍射谱上没有观测到明显的 VO2特征峰，但在氧气的比例为40%~50%时样品具有很大的电阻温度系数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙腊珍	中国科学技术大学物理学院	45	379	10.0	18.0
2	张增明	中国科学技术大学物理学院	52	363	10.0	17.0
3	祝巍	中国科学技术大学物理学院	11	25	2.0	4.0
4	安子烨	中国科学技术大学物理学院	1	1	1.0	1.0
5	高伟哲	中国科学技术大学物理学院	2	4	1.0	2.0