Al、Ga、In掺杂ZnO形成能的第一性原理研究

• 作者: 关启 卢会清 牛丽 由春秋 祁雨杭 许华梅
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 LDA + U 掺杂ZnO 能带结构 形成能
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: O48

摘要

利用LDA + U方法计算ⅢA族元素Al、Ga、In掺杂ZnO晶体的能带结构、形成能和跃迁能级,讨论ⅢA族元素掺杂ZnO晶体结构的稳定性和电离性质。替代掺杂在ZnO晶体中形成一个浅施主能级,容易发生电离;GaZn和Gai的形成能相对较低,晶体结构相对稳定;掺杂后ZnO导带下移,费米能级穿过导带。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	由春秋	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	4	4	1.0	2.0
2	牛丽	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	6	2	1.0	1.0
3	许华梅	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	3	1	1.0	1.0
4	关启	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	4	0	0.0	0.0
5	卢会清	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	4	8	1.0	2.0
6	祁雨杭	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0