基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计

• 作者: 何庆国 王凯 白银超 高显
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 倒装芯片 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs PHEMT开关建模 倒装互连结构
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 899-905,958
• 分类号: TN43|TN631
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.04

摘要

基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC～26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关.首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试.测试结果表明,回波损耗大于15 dB,插损小于2.8 dB,隔离度大于28 dB.最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何庆国	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	23	2.0	4.0
2	王凯	中国电子科技集团公司第十三研究所	36	31	4.0	4.0
3	白银超	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	1.0	2.0
4	高显	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0