NAND Flash存储关键技术

• 作者: 刘航航 李晓颖 杨云刚 薛小乐
• 来源期刊: 弹箭与制导学报
• 关键词: NAND Flash 坏块管理 数据存储
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 相关技术
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TP333.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.15892/j.cnki.djzdxb.2016.01.040

摘要

为提高NAND Flash数据存储的可靠性,阐述了坏块管理的基本思想,探讨了坏块跳过、坏块替换和动态坏块管理三种方案,探究了基于汉明码的BCH码的数据校验算法.为提高NAND Flash存储效率,研究了Multi-Plane操作、Interleaved Die操作、多片Flash阵列流水线技术等方法.研究分析表明坏块管理策略和数据检验可提高NAND Flash数据存储可靠性,流水线操作等技术可提高NAND Flash存储效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛小乐		6	18	2.0	4.0
2	刘航航		3	14	2.0	3.0
3	李晓颖		3	14	2.0	3.0
4	杨云刚		2	11	1.0	2.0