CFETR 水冷陶瓷包层时间相关产氚特性初步分析

• 作者: 刘松林 李佳 李晓静 蒲勇 陈义学 高芳芳 黄凯
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 水冷陶瓷包层 MCNP FISPACT 氚增殖率 产氚量
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 核聚变工程技术
• 页码范围: 71-77
• 页数: 7页
• 分类号: TL62+6
• 字数: 3958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16568/j.0254-6086.201601013

摘要

水冷陶瓷包层是中国聚变工程实验堆(CFETR)的三种候选包层概念之一。基于CFETR水冷陶瓷包层的一维中子学模型，通过蒙特卡罗输运模拟程序MCNP和活化计算程序FISPACT的耦合计算，经三维转换系数修正，分析了CFETR水冷陶瓷包层时间相关产氚特性。结果表明，当CFETR运行因子为0.5，聚变功率为200MW时，水冷陶瓷包层在运行5年、10年、20年后，氚增殖率(TBR)的降低都不显著，但是年产氚剩余量的降低很明显。此外，产氚包层内初始时刻TBR对产氚特性的影响也很大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佳	中国科学技术大学核科学技术学院	90	658	14.0	22.0
2	陈义学	华北电力大学核科学与工程学院	97	224	7.0	9.0
3	蒲勇	中国科学院等离子体物理研究所	1	0	0.0	0.0
4	刘松林	中国科学院等离子体物理研究所	31	168	7.0	12.0
5	黄凯	中国科学院等离子体物理研究所	17	31	4.0	5.0
6	李晓静	华北电力大学核科学与工程学院	5	13	2.0	3.0
7	高芳芳	中国科学技术大学核科学技术学院	6	13	1.0	3.0