发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响

• 作者: 周守利 彭银生 熊德平 顾磊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP/GaAsSb 倒置DHBT 流体动力学模型 底切发射区 电流阻塞效应
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 913-917
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.06

摘要

基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能.计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊德平	广东工业大学物理与光电工程学院	11	8	1.0	2.0
2	周守利	浙江工业大学信息工程学院	26	40	4.0	5.0
3	顾磊		12	12	2.0	2.0
4	彭银生	浙江工业大学信息工程学院	6	6	2.0	2.0