ST推出世界首款1500V超高功率MOSFET

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 世界 ST 设计人员 安全系数 意法半导体 自动化市场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 15-15
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

意法半导体的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTMK5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源击穿电压的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET，实现更环保、更安全的电源应用。新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。