用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述

• 作者: 张鲁丹 梁琳 潘铭 舒玉雄
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: SiC SGTO SiC ETO SiC RSD 碳化硅 脉冲功率
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 带电粒子束、等离子体和加速器
• 页码范围: 020404-1-020404-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN313
• 字数: 2736字
• 语种: 中文

摘要

综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SiC超级门极可关断晶闸管(super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了 SiC发射极可关断晶闸管(emitter turn-off thy-ristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dI/dt可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329 kW·cm-2。建立了 SiC反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)二维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiC RSD的功率密度达MW·cm-2量级。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学光学与电子信息学院	39	240	8.0	14.0
2	潘铭	华中科技大学光学与电子信息学院	2	8	2.0	2.0
3	舒玉雄	华中科技大学光学与电子信息学院	1	5	1.0	1.0
4	张鲁丹	华中科技大学光学与电子信息学院	1	5	1.0	1.0