GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

• 作者: 刘丽 王洪 胡晓龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 垂直结构发光二极管 电流分布 螺旋状环形结构电极
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 338-345
• 页数: 8页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 4348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163703.0338

摘要

首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管（ VS-LEDs）电流分布均匀性的影响，依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次，通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VS-LEDs有源层的电流密度分布，发现螺旋状环形结构电极的环间距越小，电流密度分布越均匀。最后，利用VS-LEDs芯片制备技术实现具有螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。实验结果显示，在350 mA电流驱动下，电极环间距为146.25μm的芯片具有最大的功能转换效率，达到26.8%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学广东省光电工程技术研究中心物理与光电学院	61	412	10.0	18.0
2	刘丽	华南理工大学广东省光电工程技术研究中心物理与光电学院	15	48	4.0	6.0
3	胡晓龙	华南理工大学广东省光电工程技术研究中心物理与光电学院	10	35	3.0	5.0