GIS盆式绝缘子气隙缺陷下电场变化规律仿真研究

• 作者: 崔博源 王永强 胡芳芳 谢军
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 气体绝缘组合电器 盆式绝缘子 气泡缺陷 裂缝缺陷 场强畸变
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 绝缘技术
• 页码范围: 40-45
• 页数: 6页
• 分类号: TM216|TM152
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.01.009

摘要

为了研究气体绝缘组合电器(GIS)盆式绝缘子存在气隙缺陷时的电场变化规律,以800 kV GIS盆式绝缘子为研究对象,建立了三维仿真模型,基于有限元原理仿真计算了GIS盆式绝缘子内部分别含有气泡及缝隙等典型气隙缺陷时的电场分布,并分析了气泡位置及大小、缝隙分布方向及宽度对盆式绝缘子电场的影响规律.仿真结果表明:电场畸变主要出现在缺陷处,气泡表面最大场强比无气泡时增大50％左右,较高场强区气泡表面的场强能够引起气体电离;气泡半径对场强变化的影响不到6％;横向裂缝场强最大增大约1.78倍,远大于径向裂缝场强的变化;径向裂缝越宽,裂缝最大场强越大;横向裂缝越宽,场强畸变越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永强	华北电力大学河北省输变电设备安全防御重点实验室	67	681	12.0	23.0
2	崔博源		20	150	7.0	12.0
3	谢军	华北电力大学河北省输变电设备安全防御重点实验室	10	75	5.0	8.0
4	胡芳芳	华北电力大学河北省输变电设备安全防御重点实验室	6	37	3.0	6.0