Ti，Cu和Zn掺杂AlN纳米片电磁性质的第一性原理研究

• 作者: 汪文 王嘉赋 袁俊辉 高博
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN纳米片 电子结构 磁性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 184-188
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.5
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2016.02.032

摘要

采用基于密度泛函理论（ DFT）的全势线性缀加平面波法（ FP－LAPW）研究了过渡金属Ti，Cu，Zn掺杂AlN纳米片的电子结构、磁性和稳定性。结果表明，Ti，Cu，Zn单掺杂均表现出半金属铁磁性，磁性主要是由于杂质原子的3d态与近邻N原子的2p态的轨道杂化。形成能的计算结果表明Ti掺杂AlN体系相对Cu和Zn掺杂结构更稳定。因此，相比于Cu和Zn，Ti掺杂AlN纳米片更适合用来制作稀磁半导体。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博	武汉理工大学理学院	9	28	4.0	5.0
2	袁俊辉	武汉理工大学理学院	5	18	2.0	4.0
3	王嘉赋	武汉理工大学理学院	12	36	4.0	6.0
4	汪文	武汉理工大学理学院	2	18	2.0	2.0