管式炉扩散法制备20％效率的n型双面电池

• 作者: 严金梅 吕晓华 张进臣 李吉 赵朋松
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: n型双面电池 硼和磷管式扩散 高效率 阻挡层 漏电
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 924-928
• 分类号: TN305.4|TM914.41
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.008

摘要

采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20％的n型双面晶硅太阳电池.制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30％、背面效率为17.59％.硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiOx层,BBr3气氛的高温扩散工艺沉积BSG/SiOx层.电化学电容-电压法测试显示正面硼发射极没有受到POCl3高温扩散的影响.采用电致发光测试方法研究了该n型双面电池的边缘漏电情况.该n型双面电池工艺制作流程采用常规的产线设备,适合大规模生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵朋松		5	8	2.0	2.0
2	严金梅		10	8	2.0	2.0
3	李吉		9	11	2.0	2.0
4	张进臣		4	3	1.0	1.0
5	吕晓华		1	3	1.0	1.0