温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响

• 作者: 张兴尧 李豫东 汪波 王帆 郭旗
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 转换增益 满阱容量 暗电流 温度
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 332-337
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 3409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163703.0332

摘要

为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.02654 DN/e 下降到0.02379 DN/e,饱和输出从4030 DN下降到3396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e· pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低；饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。