硅基片上光互连电路设计

• 作者: 于奇 唐雄 徐开凯(指导) 范仁森 马正飞
• 来源期刊: 光电子
• 学科: 工学
• 关键词: MOS管光发射器件 硅基发光器件 硅基光互连电路
• 年，卷（期）: gdz,（2）
• 页码范围: 47-53
• 页数: 7页
• 分类号: TN3

摘要

根据摩尔定律,芯片的集成度不断提高,传统的片上互连技术由于受到电互连物理特性的限制,其传输延迟、带宽密度和功耗等关键性能指标很难有质地提升,成为制约片上互连性能进一步提升的瓶颈。相比之下,光互连信号传输具有损耗低、速度快、延迟低、带宽密度高的优势。因此,光互连技术在片上系统的应用中具有潜在优势。文章采用MOS管发光器件实现硅基光互连系统单片集成。由于硅光源在光互连中扮演着重要角色,所以本文对硅基发光做了重点研究,并对过去几年硅光源研究成果进行回顾。基于前人的研究成果,我们设计了MOS管发光器件,并对该器件的电学特性和光学特性进行了仿真和分析,基于这些结果,然后对硅基片上光互连进行初步的设计,有望在未来光互连中发挥重要作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于奇	电子科技大学微电子与固体电子学院	50	252	8.0	13.0
2	马正飞	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	1	1.0	1.0
3	唐雄	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0
4	范仁森	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0
5	徐开凯(指导)	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0