InGaAs纳电子学的进展

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳电子学 InGaAs InAs InP高电子迁移率晶体管(HEMT) GaAs变构高电子迁移率晶体管(MHEMT) InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 太赫兹 后互补金属氧化物半导体(CMOS)
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 209-219,226
• 分类号: TN3|TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.04.001

摘要

InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响.综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展.在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,沿着提高沟道In组分、缩小T型栅长、减少势垒层厚度和寄生电阻的技术路线发展.InGaAs太赫兹单片集成电路(TMIC)的工作频率达到1 THz,成为目前工作频率最高的晶体管.在后CMOS逻辑电路领域,InGaAs纳电子学以InGaAs MOSFET发展为主,沿着提高复合量子阱沟道中的In组分、缩小平面器件结构中的栅长、缩小立体器件结构中的鳍宽、减少埋栅结构中复合高k介质栅厚度、减少寄生电阻和在大尺寸Si晶圆上与Ge MOSFET共集成的技术路线发展.鳍宽为30 nm的InGaAs FinFET的亚阈值斜率(SS)为82 mV/dec,漏感生势垒降低(DIBL)为10 mV/V,最大跨导(gm.max)为1.8 mS/μm,导通电流(ION)为0.41 mA/μm,关断电流(IOFF)为0.1μA/μm,其性能优于同尺寸的Si FinFET,具有成为后CMOS的7 nm节点后替代NMOSFET器件的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0