“助攻”电源设计：900VSiC MOSFET导通电阻创新低

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 电源设计 导通电阻 创新 场效应晶体管 高频电力 开关模式电源 电子应用
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（1）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

全球SiC领先者CREE推出了业界首款900VMOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。