量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响

• 作者: 井晓玉 汤英文 熊传兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垒结构 绿光LED 电致发光 硅衬底 MOCVD
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 327-331
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1|TB339
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163703.0327

摘要

在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为GaN、In0.05 Ga0.95 N/Al0.1 Ga0.9 N/In0.05 Ga0.95 N、In0.05 Ga0.95 N/GaN/In0.05 Ga0.95 N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下：在低温（13 K）大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C；在高温（300 K）小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现“S”型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤英文	闽南师范大学物理与信息工程学院	7	4	2.0	2.0
2	熊传兵	闽南师范大学物理与信息工程学院	6	7	2.0	2.0
3	井晓玉	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0