硅光电倍增器在剂量测量中的应用现状与前景

• 作者: 于伟跃 沈华亚 陈法国 韩毅
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅光电倍增器 剂量测量 温度特性 辐照效应
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: TL81
• 字数: 3906字
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了最近发展的新型硅光电倍增器（ SiPM）在剂量测量中的应用现状和前景，分析了其暗计数率高（室温下0．1～10 MHz／mm2）、对温度敏感、动态范围有限（通常只有2～3个量级）等问题。基于体积小、工作电压低、对磁场不敏感、增益高等特点，硅光电倍增器很适合代替传统的光电倍增管用于便携式剂量仪表。目前，利用脉冲幅度甄别、温度漂移实时修正的方法，可以有效地降低暗计数率高、温度敏感性的影响；但是，即便采用了符合测量、组合探测器等方法，测量范围仍然是限制SiPM在剂量测量应用的主要问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈法国		23	72	5.0	8.0
2	于伟跃		7	5	1.0	2.0
3	沈华亚		10	30	4.0	5.0
4	韩毅		18	41	5.0	6.0