高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能影响研究

• 作者: 张连东 拜晓锋 石峰 程宏昌 阎磊
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高温贮存 砷化镓光电阴极 量子效率 灵敏度
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 686-689
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.06.14

摘要

为了研究高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能的影响,以2只GaAs光电阴极像增强器为研究对象,参照美军标MIL-STD-810F规定,对它们分别进行了70℃、48 h高温贮存实验.在实验过程中间隔一定时间测量一次其光电阴极灵敏度,随后利用Matlab软件和量子效率公式,计算了GaAs光电阴极参数,拟合了量子效率曲线.结果表明,GaAs光电阴极在70℃经过3～4h贮存后,GaAs体材料与Cs-O表面层材料形成的光电发射层将达到稳定结构.研究成果为高性能GaAs光电阴极像增强器研制提供了技术支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石峰		26	122	6.0	10.0
2	程宏昌		18	42	4.0	6.0
3	拜晓锋		13	48	4.0	6.0
4	张连东		4	20	3.0	4.0
5	阎磊		1	1	1.0	1.0