沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺

• 作者: 於广军 李志栓 杨富宝 杨新刚 汤光洪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽肖特基器件 Si深槽刻蚀 常温刻蚀 无缝回填 SF6/O2比例
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 933-938
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.010

摘要

深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术.Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著.采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽.研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响.得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3％左右的工艺条件.利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填.该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2 μA,良率达到97.55％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨富宝		3	0	0.0	0.0
2	李志栓		4	3	1.0	1.0
3	汤光洪		2	0	0.0	0.0
4	於广军		4	2	1.0	1.0
5	杨新刚		1	0	0.0	0.0