CMP后清洗中活性剂对SiO2颗粒去除的影响

• 作者: 刘玉岭 孙鸣 洪姣 牛新环 王辰伟 韩力英 高宝红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碱性清洗剂 SiO2颗粒 金相显微镜 原子力显微镜(AFM) 扫描电子显微镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 255-258,275
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.04.008

摘要

主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO2颗粒沾污去除的影响.由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25％时效果最优.由原子力显微镜(AFM)测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25％时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量.通过扫描电子显微镜(SEM)随机扫描,对SiO2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25％时SiO2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO2颗粒沾污.