富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

• 作者: 孙同年 孙聂枫 李晓岚 杨瑞霞 王书杰 王阳 韩应宽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 液封直拉(LEC)法 晶体生长 富铟夹杂 光荧光谱(PL-Mapping)
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 939-944
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.011

摘要

通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片.用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨率XRD射线衍射技术研究了富铟非掺InP单晶样品特性.结果表明,在富铟条件下生长的InP单晶会出现富铟夹杂,这种富铟夹杂可导致其周围位错密度升高,同时富铟夹杂在晶片内分布也是不均匀的,在晶片中心部分富铟夹杂的密度高,在边缘部分密度低.对富铟夹杂形成及不均匀分布的原因进行了分析,讨论了富铟夹杂对PL-Mapping发光峰峰值的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	孙聂枫	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室	11	39	4.0	5.0
3	韩应宽	河北工业大学电子信息工程学院	3	4	2.0	2.0
4	王阳	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室	8	5	2.0	2.0
5	李晓岚	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室	5	21	3.0	4.0
6	王书杰	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室	2	5	2.0	2.0