通过边界行标记的低刷新功耗内存

• 作者: 杨任花 林殷茵 韦祎
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: DRAM刷新功耗 内存仿真 DRAMSim2
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子科学
• 页码范围: 347-353
• 分类号: TP303
• 语种: 中文

摘要

提出一种通过数个边界行地址寄存器,将DRAM内存按照行地址划分为正常刷新区域、低频刷新区域和无需刷新区域的方案.当数据被集中于DRAM中连续行时,该方案不刷新未存放数据的DRAM行,并且对非关键数据区域采取比正常更低的频率进行刷新,从而可以将刷新功耗按比例降低至内存占用率以下.最后用gem5+DRAMSim2仿真平台对这种方案的硬件部分进行建模并仿真,实验显示如果搭配合适的数据分配算法,该做法能够在很低的硬件开销下有效降低内存功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	韦祎	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	杨任花	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0