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Characteristics of Heat-Annealed Silicon Homojunction Infrared Photodetector Fabricated by Plasma-Assisted Technique
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Characteristics of Heat-Annealed Silicon Homojunction Infrared Photodetector Fabricated by Plasma-Assisted Technique | ||
| 来源期刊 | 光子传感器（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | Photodetectors homojunction spectral responsivity plasma-induced etching | ||
| 年，卷（期） | 2016,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 345-350 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1007/s13320-016-0338-4 | ||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
Photodetectors
homojunction
spectral responsivity
plasma-induced etching
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
光子传感器(英文版)
主办单位：
电子科技大学
出版周期：
季刊
ISSN：
1674-9051
CN：
51-1725/TP
开本：
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
出版文献量（篇）
287
总下载数（次）
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