黑硅及其研究现状综述

• 作者: 张猛蛟 戴放 陈建国 陈远金
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 黑硅 高吸收率 光电探测器
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 36-44
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.12

摘要

黑硅作为一种能够大幅提高光电转换效率的新型材料，具有独特的光电特性。国内外研究机构和学者围绕黑硅材料开展了大量的研究工作，在材料结构、形成机理和制备工艺等方面取得了显著成果，并在黑硅的应用方面进行了探索。基于黑硅优异的光电特性，其未来具有巨大的潜在应用价值，但在材料均匀性、工艺重复性等方面仍有大量技术问题需要解决。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈远金		8	0	0.0	0.0
2	张猛蛟		2	0	0.0	0.0
3	戴放		2	0	0.0	0.0
4	陈建国		9	42	2.0	6.0