烧结温度对SiC多孔陶瓷中过渡层的影响

• 作者: 吴迪 王怡馨 王艳颖 邓湘云
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC多孔陶瓷 过渡层 烧结温度 过滤压降 气孔率
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: O522+.2
• 字数: 2176字
• 语种: 中文

摘要

为研究过渡层对多孔陶瓷材料的影响,在不同烧结温度下制备具有过渡层的SiC多孔陶瓷.陶瓷纤维过渡层中各成分(莫来石纤维:硅酸铝纤维:羧甲基纤维素钠(CMC):去离子水)的质量比为1:1:1.5:70.采用甩膜法将过渡层浆料均匀涂覆在支撑体上,样品烧结温度分别为1225、1 250、1275、1 300和1 325℃.利用扫描电子显微镜(SEM)、过滤压降测试系统和阿基米德排水法分别对烧结后样品的表面形貌、过滤压降和气孔率等性能进行分析.实验结果显示:烧结温度从1 225℃升高后,样品气孔孔径逐渐增大,气孔的连通度越来越好,气孔率越来越大,并在烧结温度为1300℃时达到最佳值.当温度高于1300℃时,部分气孔堵塞,样品出现陶瓷化现象.随着温度升高,过渡层和支撑体整体的过滤压降先减小后增大,在1 300℃时过滤压降最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓湘云	天津师范大学物理与材料科学学院	29	75	5.0	6.0
2	王怡馨	天津师范大学物理与材料科学学院	3	5	1.0	2.0
3	吴迪	天津师范大学物理与材料科学学院	6	6	1.0	2.0
4	王艳颖	天津师范大学物理与材料科学学院	5	6	1.0	2.0