低温ALD沉积Al掺杂TiO2薄膜性能的研究及在钙钛矿太阳电池上的应用

• 作者: 刘忠伟 刘文雅 廖丽萍 张龙 王东栋 陈强
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低温ALD Al掺杂TiO2 光阳极 钙钛矿太阳电池 性能
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 705-709
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.06.17

摘要

以四异丙醇钛、三甲基铝和去离子水分别为钛源、铝源和氧源,低温条件下用原子层沉积(ALD)技术在FTO导电玻璃上制备TiO2薄膜和掺杂不同比例元素Al的TiO2 (ATO)薄膜,并将其作为光阳极用于平面钙钛矿太阳电池.测量TiO2和不同Al比例掺杂的ATO薄膜X射线衍射,研究掺杂比对TiO2晶格的影响.同时,以FTO导电玻璃为基底在TiO2(或ATO)薄膜上沉积Al做电极制备FTO/TiO2/Al和FTO/ATO/Al,测量它们的I-V曲线,研究Al掺杂对TiO2薄膜导电性能的影响.最后,以TiO2和掺杂比为1∶120制备的ATO为光阳极,组装成钙钛矿太阳电池器件FTO/TiO2(或FTO/ATO)/CH3 NH3 PbI3-xClx/spiro-OMETAD/Au,测量电池J-V特性曲线.与TiO2为光阳极器件相比,掺杂比为1∶120的ATO基器件开路电压从0.89提高到1.01 V,填充因子从59％提高到64％,光电转换效率由9.26％提高到11.31％.发现少量Al掺杂不会改变TiO2薄膜晶型结构,但是会改变TiO2电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	125	542	10.0	17.0
2	刘文雅	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	2	0	0.0	0.0
3	王东栋	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	5	4	1.0	2.0
4	刘忠伟	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	25	62	5.0	7.0
5	张龙	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	2	1	1.0	1.0
6	廖丽萍	北京印刷学院等离子体物理及材料研究室	2	0	0.0	0.0