纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法

• 作者: 张启华 李明 段淑卿 简维廷 虞勤琴 赵燕丽 陈柳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 透射电镜(TEM) 样品制备 聚焦离子束(FIB) 失效分析 平面样品
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 945-950
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.012

摘要

针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成.详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果.一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免TEM图像重影问题;另外一个方法是利用FIB的不同角度切割能力,来制备定点的平面TEM样品.实践证明,通过FIB样品制备方法的优化和改善,解决了45 nm工艺及以下制程的半导体器件失效分析过程中遇到的此类问题,TEM样品质量能得到有效的改善,对于解决实际工作中的问题非常有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简维廷		19	34	3.0	5.0
2	张启华		8	17	2.0	4.0
3	李明		9	19	3.0	3.0
4	段淑卿		6	12	2.0	3.0
5	虞勤琴		5	6	2.0	2.0
6	陈柳		1	2	1.0	1.0
7	赵燕丽		2	5	2.0	2.0