高能X射线入射时CsI光阴极的光电发射特性

• 作者: 宗方轲 李翔 杨勤劳 顾礼
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体技术 CsI光阴极 惯性约束聚变 X射线条纹相机 高能X射线 蒙特卡罗模型
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 光电工程
• 页码范围: 254-258
• 页数: 5页
• 分类号: O434.1
• 字数: 3487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2016.03254

摘要

采用蒙特卡罗方法建立模型,研究CsI光阴极在高能X射线照射时的光电发射特性,得到X射线条纹相机中CsI光阴极在高能X射线入射时的性能参数.计算CsI光阴极厚度为100 ～1 000 nm,入射X射线能量为1～30 keV时CsI光阴极的量子产额、出射二次电子的角度分布、位置分布以及能量分布.结果显示,CsI光阴极在高能X射线入射时的极限空间分辨率约为7～9 nm,可满足X射线条纹相机对高时空分辨的使用需求.