ZnLaxSn－x（x＝4，8）半导体材料光电性质的第一性原理计算

• 作者: 周虹君 高一文
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 ZnS 能带 态密度
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 156-160
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2016.02.027

摘要

本文采用第一性原理研究了ZnS，ZnLa4 Sn －4，ZnLa8 Sn－8三个体系的能带结构、分态密度、总态密度以及复介电函数。研究结果显示： ZnS体系的价带顶和导带底都在G点处，为直接带隙材料；ZnLa4 Sn－4， ZnLa8 Sn－8两体系的导带向价带移动，费米能级处有多条能级穿过，费米能级处附近的态密度则由S 3p ，Zn 3p和La 5d以及5p轨道组成；对比分析ZnS，ZnLa4 Sn－4，ZnLa8 Sn－8三个体系的复介电函数的虚部发现Zn La4 Sn－4、ZnLa8 Sn－8体系在0－10eV区域内的介电峰都少于本征结构，而在10到20 eV的高能量区间内， ZnLa4 Sn－4、ZnLa8 Sn－8体系介电峰的相应幅度较ZnS增强。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高一文	重庆文理学院物理系	12	6	1.0	1.0
2	周虹君	重庆文理学院物理系	17	16	3.0	3.0