氯霉素在p-PTA/CS-AB/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

• 作者: 何晓英 李桂芳 贾晶
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氯霉素 磷钨酸 壳聚糖 乙炔黑 差分脉冲伏安法 修饰电极
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 563-568
• 页数: 6页
• 分类号: O657.1|R978.1
• 字数: 4574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.2016.05.011

摘要

制备了聚磷钨酸/壳聚糖-乙炔黑修饰电极(p-PTA/CS-AB/GCE),采用循环伏安法(CV)研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为.结果表明,在pH 6.0的PBS溶液中,氯霉素(CAP)在该修饰电极上出现1个还原峰,在40～400 mV/s扫速范围内,CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系,说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程.用差分脉冲伏安法(DPV)对不同浓度的CAP进行检测,在5.0×10-7～1.0×10-4mol/L浓度范围内,还原峰电流与浓度呈线性关系,检出限(S/N=3)为5.13×10-8mol/L.用该方法对氯霉素片进行检测,相对标准偏差(RSD)为1.4％,回收率为97.7％～105.1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何晓英	西华师范大学化学化工学院电化学研究所	96	513	12.0	15.0
2	贾晶	西华师范大学化学化工学院电化学研究所	11	11	2.0	2.0
3	李桂芳	西华师范大学化学化工学院电化学研究所	6	5	1.0	1.0